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1. THE CHARACTERISTIC MIXED METHOD FOR THE TRANSIENT BEHAVIOR OF A SEMICONDUCTOR DEVICE SCIE

作者:袁益让

作者机构:Department of Mathematics,Shandong University,Jinan 250100,PRC

来源:科学通报(英文版),CHINESE SCIENCE BULLETIN,1992,Vol.37,Issue.4,342-343

资源类型:期刊论文

WOS:A1992HH58200020

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