标题:GaN薄膜的研究进展
作者:马洪磊;杨莺歌;刘晓梅;刘建强;马瑾
作者机构:[马洪磊] 山东大学物理与微电子学院, 济南, 山东 250100, 中国.;[杨莺歌] 山东大学物理与微电子学院, 济南, 山东 250100, 中国.;[刘建强] 山东大学物理与微电子学 更多
来源:功能材料
出版年:2004
卷:35
期:5
页码:537-540+544
关键词:GaN薄膜; 研究进展; 发光机制
摘要:由于GaN薄膜有希望应用在紫外或蓝光发光器件、探测器以及高速场效应晶体管、高温电子器件,GaN材料是当前研究的一个焦点.本文简要介绍了GaN薄膜 的制备、衬底选择、掺杂、缓冲层、发光机制和表征等方面的最新进展,指出GaN材料进一步发展需要解决的关键技术问题.
收录类别:CSCD
资源类型:期刊论文
原文链接:http://kns.cnki.net/kns/detail/detail.aspx?FileName=GNCL200405001&DbName=CJFQ2004
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