专利名称:一种高质量低电阻率的p型SiC单晶制备方法
公开(公告)号:CN106894090A
公开(公告)日:2017-06-27
申请(专利权)人:山东大学
发明(设计)人:陈秀芳;谢雪健;彭燕;徐现刚;胡小波
法律状态:审中-实质审查
摘要:本发明涉及一种高质量低电阻率p型SiC单晶的制备方法。该方法包括:在生长坩埚内提供SiC源材料和B掺杂剂、Al掺杂剂以及SiC籽晶;将Al掺杂剂盛于中心小坩埚内;将B掺杂剂分别盛于若干小坩埚内,对称放置于所述中心小坩埚两侧或四周;炉内抽真空后,通入氩气作为载气;中频感应加热所述生长坩埚建立温度梯度,提供生长环境;SiC及B掺杂剂、Al掺杂剂升华至SiC籽晶进行晶体生长。本发明的方法能保持生长的p型SiC单晶在晶体径向和轴向掺杂的均匀性,切割成晶片后,不仅其电阻率得以降低,而且在晶体轴向、径向上的电阻率偏差也明显减小。
资源类型:专利
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