标题:有源层厚度对InSnZnO薄膜晶体管的影响
作者:杨浩志;李治玥;刘媛媛;孙珲;吕英波;刘超
作者机构:[]山东大学(威海)超级计算中心,山东威海264209,中国.;[]山东大学空间科学与物理学院,山东威海264209,中国.;[]山东大学(威海)商学院,山东威海264209,中国 更多
通讯作者:Liu, Chao
通讯作者地址:[Liu, C] School of Business, Shandong UniversityChina;
来源:稀有金属
出版年:2019
卷:43
期:1
页码:61-66
DOI:10.13373/j.cnki.cjrm.XY18010038
关键词:[1890326]射频磁控溅射;ITZO薄膜;[7407412]薄膜晶体管;[6509961]厚度;
摘要:在室温下,采用射频磁控溅射法制备了氧化铟锡锌(ITZO)薄膜作为薄膜晶体管(TFT)的有源层, ITZO薄膜厚度分别为16, 25, 36, 45和55 nm。采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)和紫外-可见光分光光度计测试分析了不同厚度ITZO薄膜的结晶情况、表面形貌及光学特性的变化规律,并使用半导体特征测试仪表征了ITZO TFT的输出特性及转移特性,研究了有源层厚度对ITZO TFT电学性能的影响。结果表明:不同厚度的ITZO薄膜均为非晶结构,成膜致密,薄膜在可见光范围内的平均透过率均高于85%。在界面态密度(N■)和载流子浓度的共同影响下,当有源层厚度为36 nm时, ITZO TFT电学性能最优。其场效应迁移率(μFE)为14.04 cm2·(V·s)-1,开关比(Ion/off)为1×106,亚阈值摆幅(S)仅有0.5 V·dec-1。此外,有源层厚度的增大可以削弱空气中水分和氧气对TFT的侵蚀,提高器件的稳定性。因此可以通过改变有源层厚度来调控TFT的性能。
收录类别:EI;CSCD;SCOPUS
资源类型:期刊论文
原文链接:https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-85064669175&doi=10.13373%2fj.cnki.cjrm.XY18010038&partnerID=40&md5=a06511052787b1a9e5a41e6c5397bff2
TOP