标题:高质量半绝缘?150 mm 4H-SiC单晶生长研究
作者:彭燕;陈秀芳;彭娟;胡小波;徐现刚
作者机构:[彭燕] 山东大学, 晶体材料国家重点实验室;;全球能源互联网(山东) 协同创新中心, 济南, 山东 250100, 中国.;[陈秀芳] 山东大学, 晶体材料国家重点实验室;;全球能 更多
来源:人工晶体学报
出版年:2016
卷:45
期:5
页码:1145-1152
关键词:数值模拟; PVT法
摘要:采用数值模拟研究PVT法?150 mm 4H-SiC单晶生长的功率、频率选择、坩埚位置及保温厚度等关键生长参数。研究表明?150 mm 4H-SiC单晶生长功率是2inch 4H-SiC生长功率的2倍,优化的加热频率在5 kHz以下,系统分析不同生长参数下生长腔内径向及轴向温度梯度的变化规律。在此基础上初步的进行了?150 mm 4H-SiC单晶的生长工作,获得了无裂纹、直径完整的高质量SiC衬底材料。拉曼光谱Mapping测量显示?150 mm SiC衬底全片无多型,均为4H-SiC晶型。X光摇摆曲线显示半宽小于30 arcsec。采用掺杂过渡金属V杂质,获得了电阻率超过5* 10~9 Omega?cm的150 mm SiC衬底。
收录类别:SCOPUS;CSCD;SCOPUS
资源类型:期刊论文
原文链接:https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-85012005036&partnerID=40&md5=caee5242b618f5148e52513a3bd07364
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