标题:一种硅原子簇边界处理方法
作者:韩圣浩;张瑞勤;戴国才;
作者机构:[韩圣浩;张瑞勤;戴国才] 山东大学物理系,山东大学物理系,山东大学物理系,
来源:山东大学学报(自然科学版)
出版年:1989
期:02
页码:105-108
关键词:EHMO; Silicon cluster; Dangling bonds; Qusi-silicon atoms
摘要: 近年来,用量子化学—原子簇方法研究固体的电子性质,例对固体表面、体内杂质和缺陷、无序体系的电子结构等的研究越来越引起人们的重视。原子簇模型的基本思想是以有限大的原子团模拟无限大的体系。共价固体硅原子簇边界悬挂键的处理,对计算结果影响很大。边界饱和原子的选取,是原子簇方法中一个十分重要的问题。Tong曾用氢原子饱和边界,发现所计算的电子态密度结果中禁带较宽;张开
资源类型:期刊论文
原文链接:http://kns.cnki.net/kns/detail/detail.aspx?FileName=SDDX198902016&DbName=CJFQ1989
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