标题:过饱和度对KDP晶体台阶推移影响的研究
作者:李伟东;于光伟;王端良;刘琳;黄萍萍;余波;汪彦春;王圣来;
作者机构:[李伟东;于光伟;王端良;刘琳;黄萍萍;余波;汪彦春;王圣来]山东大学晶体所
会议名称:第十七届全国晶体生长与材料学术会议(CCCG-17)
来源:第十七届全国晶体生长与材料学术会议摘要集
出版年:2015
关键词:AFM;过饱和度;生长台阶
摘要:运用原子力显微镜(AFM)技术对在相同的生长温度,不同的过饱和度条件下生长的KDP晶体面生长台阶的推移规律进行了系统的研究。结果表明:随着过饱和度的增加,台阶的形态、聚并程度、高度、宽度以及斜率都有着显著的变化。当过饱和度σ=0.05时,台阶的平均宽度和高度最大,聚并台阶的宽度为0.96~1.7μm,高度为5.8nm~11.0nm,即聚并台阶由16~30个基本台阶堆积而成;当过饱和度σ=0.06时,台阶呈现出最大的斜率,其值为12.14×10;当过饱和度σ=0.07时,台阶的弯曲程度最小,台阶边缘笔直,每一个宏台阶都伴随着显著的基本台阶的堆积。
资源类型:会议论文
原文链接:http://kns.cnki.net/kns/detail/detail.aspx?FileName=EUGQ201508002136&DbName=CPFD2015
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