标题:三代碳硅烷光致变色液晶树状物的光化学研究——端基含108个4-丁氧基偶氮苯介晶基元
作者:张其震,殷晓颖,王艳
作者机构:[张其震] 山东大学化学化工学院, 济南, 山东 250100, 中国.;[殷晓颖] 山东大学化学化工学院, 济南, 山东 250100, 中国.;[王艳] 山东大学环境科学与工程学院, 济南 更多
通讯作者:Zhang, QZ(qzzhang@sdu.edu.cn)
通讯作者地址:[Zhang, QZ]Shandong Univ, Sch Chem & Chem Engn, Jinan 250100, Peoples R China.
来源:化学学报
出版年:2005
卷:63
期:10
页码:941-946+872
关键词:光致变色液晶树状物;光电信息存储材料;反-顺光异构化;光回复异构;热回复异构;活化能;异构转换率
摘要:报道了新化合物含108个丁氧基偶氮基元端基的三代(D3)碳硅烷光致变色液晶树状物在各溶液中的反-顺光异构化(光致变色)反应速率常数kp,光化学回复异构化正/逆反应速率常数kt和kc,热回复异构化反应速率常数kH,光化学回复异构化反应平衡常数kt/kc,活化能E,异构化转换率及热回复异构化反应中的反-顺异构体组分比.D3的光致变色反应速率常数为10-1s-1,而含偶氮基元的光致变色液晶聚硅氧烷的光致变色反应速率常数为10-8s-1,因此,D3的光响应速度比后者快107倍.
收录类别:CSCD;SCOPUS;SCIE
WOS核心被引频次:2
Scopus被引频次:1
资源类型:期刊论文
原文链接:https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-33749142523&partnerID=40&md5=0a34b255847c58f149bb713bd8ce2e14
TOP