标题:单晶硅炉用碳素材料的硅化腐蚀研究
作者:曹伟伟;朱波;赵伟;王永伟;乔琨;张式雷
作者机构:[曹伟伟] 天津工业大学材料科学与工程学院, 天津 300387, 中国.;[朱波] 山东大学材料科学与工程学院, 山东省碳纤维工程技术研究中心, 济南, 山东 250061, 中国.; 更多
通讯作者:Zhu, B.
通讯作者地址:[Zhu, B] Carbon Fiber Engineering Research Center, School of Materials Science and Engineering, Shandong University, Ji'nan 250061, China
来源:功能材料
出版年:2013
卷:44
期:12
页码:1709-1712
DOI:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.12.008
关键词:单晶硅炉; 碳素材料; 硅化; 纤维排布; 液硅
摘要:对单晶硅炉用碳素材料的硅化腐蚀后的表面形貌及元素分布测试,研究不同碳素热场材料的硅化腐蚀性能。结果表明石墨内部延伸至表面的开气孔给熔融硅提供侵蚀 扩散的通道,加速石墨硅化破坏。硅化程度受C/C复合材料内部纤维排布方向的影响,沿纤维排布方向液硅扩散速率较快,垂直于纤维排布液硅的扩散速率较小。 随硅化时间延长,C/C复合材料力学性能呈下降趋势。石墨材料的力学性能最初有所提高,之后随着时间而下降。
收录类别:EI;CSCD;SCOPUS
资源类型:期刊论文
原文链接:https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-84881012332&doi=10.3969%2fj.issn.1001-9731.2013.12.008&partnerID=40&md5=bb7f39fc478fb21d9c7e510112477c1f
TOP