标题:高纯半绝缘4H-SiC单晶的生长
作者:杨昆;陈秀芳;杨祥龙;彭燕;胡小波;徐现刚
作者机构:[杨昆] 山东大学, 晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东 250100, 中国.;[陈秀芳] 山东大学, 晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东 250100, 中国.;[杨祥龙] 山东大学 更多
通讯作者地址:[Xu, X.-G] State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong UniversityChina
来源:人工晶体学报
出版年:2014
卷:43
期:11
页码:3055-3057
关键词:碳化硅; 物理气相传输法; 半绝缘
摘要:使用物理气相传输方法(PVT)制备了直径为3英寸、非故意深能级杂质(如:钒)掺杂的半绝缘4H-Si C晶体。使用二次离子质谱(SIMS)、拉曼光谱面扫描、非接触电阻率测试面扫描和高分辨XRD摇摆曲线对衬底的浅能级和两性深能级杂质的浓度、衬底晶型 、衬底电阻率和衬底结晶质量进行了表征。结果表明,衬底全部面积电阻率大于4*10~9Omega·cm,钒浓度低于探测限,这表明浅能级杂质浓度已经低 至可以被本征缺陷引入深能级完全补偿范围;拉曼光谱结果表明衬底4H-Si C晶型面积比例为100%;(004)衍射面高分辨X射线摇摆曲线半宽仅25秒,表明了衬底良好的结晶质量。使用上述高纯半绝缘衬底制备的高电子迁移率器 件(HEMT)具备良好的电学性质。
收录类别:EI;CSCD;SCOPUS
Scopus被引频次:1
资源类型:期刊论文
原文链接:https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-84920102036&partnerID=40&md5=67c47eaa8cc6735810e96419520e94aa
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