标题:关于InGaN/GaN多量子阱结构内量子效率的研究
作者:王雪松;冀子武;王绘凝;徐明升;徐现刚;吕元杰;冯志红;
作者机构:[王雪松;冀子武;王绘凝;徐明升;徐现刚;吕元杰;冯志红]山东大学物理学院;[王雪松;冀子武;王绘凝;徐明升;徐现刚;吕元杰;冯志红]山东大学晶体材料国家重点实验室;[王 更多
来源:物理学报
出版年:2014
期:12
页码:347-353
关键词:InGaN/GaN;发光效率;荧光峰位能量;内量子效率
摘要:利用金属有机物化学气相沉积技术在蓝宝石衬底(0001)面生长了InGaN/GaN多量子阱结构,并测量了其荧光(PL)光谱的峰位能量和发光效率对温度和注入载流子密度的依赖性.结果显示,该样品PL的峰位能量对温度的依赖性是\"S形\"的(降低-增加-降低),并且最大发光效率出现在50 K左右.前者反映了InGaN阱层中势能的非均一性和载流子复合的局域特征,后者则表明了将极低温度下的内量子效率设定为100%的传统界定方法应当被修正.进一步的研究结果显示,发光效率不仅是温度的函数,同时也是注入载流子密度的函数.为此我们对传统的基于PL光谱测量来确定某结构(或器件)内量子效率的方法进行了修正:在不同温度下测...
资源类型:期刊论文
原文链接:http://kns.cnki.net/kns/detail/detail.aspx?FileName=WLXB201412046&DbName=CJFQ2014
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