标题:电子束加速器维纳尔的研究
作者:尹明 [1];周晓雁 [2]
作者机构:[尹明] 山东大学控制科学与工程学院电子束室, 济南, 山东 250061, 中国.;[周晓雁] 山东大学信息科学与工程学院, 济南, 山东 250061, 中国 更多
通讯作者:Yin, M(sdyinming@sohu.com)
通讯作者地址:[Yin, M]Shandong Univ, Electron Beam Lab, Sch Control Sci & Engn, Jinan 250061, Peoples R China.
来源:高能物理与核物理
出版年:2005
卷:29
期:3
页码:301-304
关键词:电子束;电子轨迹;能量分布;硅片靶心;加速器;维纳尔;
摘要:由于电子束理论上可聚成直径小于1nm的束斑,易于控制,在超大规模集成电路掩模制造中起的重要作用,目前仍无法用其他方法所代替.以SDS-3电子束设备的电子枪为基础,讨论了双曲凹面加速器维纳尔(外敷碱土金属氧化物盖)的电子轨迹与能量分布.通过这一维纳尔电子被送达硅片靶心(置于光阑前).最后给出了刻蚀硅片的束斑和加速器维纳尔的图.
收录类别:CSCD;SCOPUS;SCIE
资源类型:期刊论文
原文链接:https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-16644391231&partnerID=40&md5=17ee8b4ae0453064e1f9be6c3fa8aeab
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