标题:紫外倍频晶体硫氰酸汞镉的生长习性与形成机理研究
作者:姜雪宁;袁多荣;许东;吕孟凯;郭世义;于文涛;张光辉;方奇
作者机构:[姜雪宁;袁多荣;许东;吕孟凯;郭世义;于文涛;张光辉;方奇]山东大学晶体材料研究所,,中国
通讯作者:Jiang, XN
通讯作者地址:[Jiang, XN]Shandong Univ, Inst Crystal Mat, State Key Lab Crystal Mat, Jinan 250100, Peoples R China.
来源:化学学报
出版年:2001
卷:59
期:5
页码:724-728
关键词:硫氰酸汞镉晶体;溶液结构;生长基元;生长习性;形貌;紫外倍频晶体;晶体生长;非线性光学材料;
摘要:从结晶化学角度出发,研究了硫氰酸汞镉(简写为CMTC)结构中的基本结构单元即HgS4和CdN4的结晶方位与晶体各族晶面间的对应关系.在对CMTC的生长溶液结构测定和推理基础上,提出该晶体生长基元的结构形式和生长基元向各族晶面上堆积的规律,进而讨论了该晶体生长习性的形成机理.实验发现,CMTC的生长溶液中存在着与晶体结构中相同的基团即阴离子多面体生长基元,随着生长条件的变化,生长基元的维度有所不同,不同维度的生长基元往各族晶面上的堆积速率也发生相应改变,从而解释了CMTC的生长习性和晶体形貌的多变性.
收录类别:SCOPUS;SCIE
WOS核心被引频次:10
资源类型:期刊论文
原文链接:http://lib.cqvip.com/qk/91047X/200105/5250720.html
TOP