标题:Synthesis and Field Emission of ZnO Nanostructures on CuO Catalyzed Porous Silicon Substrate
作者:郁可[1];张永胜[1];欧阳世翕[2];张清杰[2];罗来强[1];张秋香[1];常中坤[3];李立君[3];朱自强[1]
作者机构:[郁可;张永胜;罗来强;张秋香;朱自强]Department of Electronic Engineering, East China Normal University, Shanghai 200062.;[欧阳世翕;张清杰]State Key Labo 更多
通讯作者:Department of Electronic Engineering, East China Normal University, Shanghai 200062, China;(zqzhu@ee.ecnu.edu.cn)
通讯作者地址:[Zhu, ZQ]E China Normal Univ, Dept Elect Engn, Shanghai 200062, Peoples R China.
来源:中国物理快报:英文版
出版年:2005
卷:22
期:9
页码:2411-2414
关键词:ZnO;纳米结构;电子散射;CUO;多孔渗水;硅元素;
摘要:ZnO nanobelts 和六角形的 nanorods 的大量生产成功地在 CuO 上被综合了用简单蒸汽固体的催化的多孔的硅(PS )( 对) 生长方法。他们的形态学的 Acomparison 被扫描电子显微镜学(SEM ) 调查。Thetransmission 电子显微镜学(TEM ) 证实那 ZnO nanobelts, nanorods 是与生长方向水晶的单身者(0110 ) 并且(0001 ) 分别地。域排放测试显示多孔的硅上的 ZnO nanostructures 让低刺激大约 3.6 V/mu m 回答(在 1.0 亩A/厘米( 2 ))并且大约 8.3 V/mu m 的阀值域(在 1.0 妈/厘米( 2 )),约 10 的高排放地点密度( ESD )( 4 )厘米(-2)。
收录类别:CSCD;SCOPUS;SCIE
WOS核心被引频次:3
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资源类型:期刊论文
原文链接:http://lib.cqvip.com/qk/84212X/200509/18135858.html
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