标题:Tuning Bandgap of Si-C Heterofullerene-Based Aanotubes by H Adsorption
作者:李继玲[1];杨国伟[1];赵明文[2];刘向东[2];夏曰源[2]
作者机构:[李继玲;杨国伟]State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Institute of Optoelectronic and FunctionalComposite Materials, Nanot 更多
通讯作者:Yang, GW
通讯作者地址:[Yang, GW]Sun Yat Sen Univ, Sch Phys & Engn, Nanotechnol Res Ctr, Inst Optoelect & Funct Composite Mat,State Key La, Guangzhou 510275, Guangdong, Peop 更多
来源:中国物理快报:英文版
出版年:2010
卷:27
期:9
页码:183-186
DOI:10.1088/0256-307X/27/9/097101
关键词:表面吸附;碳纳米管;带隙;调谐;硅;化学方法;大肠杆菌;掺杂改性;
摘要:我们理论上证明 H 原子能化学上被吸附到原文如此基于 heterofullerene 的 nanotubes 的表面上。没有任何障碍,原文如此基于 heterofullerene 的 nanotubes 上的 H 原子的吸附的精力在 4.28-5.66eV 的范围让 H 原子来临到原文如此基于 heterofullerene 的 nanotubes。原文如此基于 heterofullerene 的 nanotubes 的乐队差距能被介绍掺杂物状态戏剧性地修改,即,从半导体有转变到 H 原子的吸附导致的原文如此基于 heterofullerene 的 nanotubes 的售票员。这些结果实际上打开一个方法调节基于 heterofullerene 的 nanotubes 的电子性质并且可以因此为乐队结构工程建议一条有效小径。[从作者抽象]
收录类别:SCOPUS;SCIE
资源类型:期刊论文
原文链接:http://lib.cqvip.com/qk/84212X/201009/34977689.html
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