标题:新型金属氧化物薄膜气敏元件基材料的开发
作者:田芳;张颖欣;张礼;侯秀萍;裘南畹
作者机构:[田芳] 山东大学化学与化工学院, 济南, 山东 250100, 中国.;[张颖欣] 济南半导体实验所, 济南, 山东 250100, 中国.;[张礼] 山东大学物理学院, 济南, 山东 250100 更多
来源:山东大学学报. 工学版
出版年:2009
卷:39
期:2
页码:104-107
关键词:金属氧化物; 薄膜气敏元件; 基材料
摘要:根据电导气敏机理的氧负离子理论,提出制备n型金属氧化物气敏基材料的理论,指出禁带宽度E_g>2 eV的金属氧化物材料都有可能研制薄膜气敏元件,并通过Fe_2O_3/1%Sb2O3和TiO_2薄膜元件的制备和表征,论证了该理论的正确性.
收录类别:CSCD
资源类型:期刊论文
原文链接:http://kns.cnki.net/kns/detail/detail.aspx?FileName=SDGY200902019&DbName=CJFQ2009
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