标题:液态镓在石墨烯表面的润湿性及形貌特征
作者:王俊珺; 李涛; 李雄鹰; 李辉
作者机构:[王俊珺]山东大学;;昌吉学院物理系, 材料液固结构演变与加工教育部重点实验室;;, 济南;;昌吉, ;; 250061;;831100;[李涛]山东大学, 材料液固结构演变与加工教育部 更多
通讯作者:Li, H;Li, Hui
通讯作者地址:[Li, H]Shandong Univ, Minist Educ, Key Lab Liquid Solid Struct Evolut & Proc Mat, Jinan 250061, Shandong, Peoples R China.
来源:物理学报
出版年:2018
卷:67
期:14
页码:149601
DOI:10.7498/aps.67.20172717
关键词:分子动力学模拟; 液态镓; 石墨烯
摘要:液态Ga及其合金的熔点低、毒副作用小、导电率高,使得这类液态金属能像石墨烯一样被广泛应用于微流器件、柔性电子器件中,制备这些器件的关键在于有效控; 制各生产环节中液态金属在固体界面上的润湿性及形貌特征.基于Lennard-Jones(L-J)势函数,利用分子动力学模拟方法研究了金属Ga在石墨; 烯表面的润湿性,根据模拟结果拟合的L-J势参数能正确描述Ga原子与衬底之间的相互作用并得到了与实验值极为接近的润湿角,发现衬底与液膜间相互作用的; 微小改变都会对最终润湿形态产生极大影响,平衡态的润湿角和脱离衬底速度随着Ga-C间势能的减小而增大,并成功获得了不同厚度的Ga液膜在石墨烯表面的; 形态演变规律,极为符合液态Ga的基本特性.利用所得L-J势函数参数模拟了液态Ga在粗糙度相同但纳米柱尖端形貌不同的C材料表面的润湿演变,发现纳米; 柱尖端形貌对液态Ga的润湿过程及状态影响极大.
收录类别:EI;CSCD;SCIE
WOS核心被引频次:1
资源类型:期刊论文
原文链接:http://kns.cnki.net/kns/detail/detail.aspx?FileName=WLXB201814031&DbName=CJFQPREP
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