标题:同质缓冲层对氧化铟锡薄膜特性的影响
作者:宋淑梅;宋玉厚;杨田林;贾绍辉;辛艳青;李延辉
作者机构:[宋淑梅] 山东大学(威海)空间科学与物理学院, 威海, 山东 264209, 中国.;[杨田林] 山东大学(威海)空间科学与物理学院, 威海, 山东 264209, 中国.;[辛艳青] 山东大 更多
来源:人工晶体学报
出版年:2013
卷:42
期:12
页码:2520-2524+2531
关键词:同质缓冲层; 电阻率; 透过率
摘要:采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出了具有不同厚度ITO同质缓冲层的ITO薄膜。利用X射线衍射、半导体特性测试仪、紫外-可见光分光光度计等测试了 薄膜的特性。结果表明:与单层ITO薄膜相比,具有厚度16 nm ITO同质缓冲层的ITO薄膜的电阻率下降了30%,薄膜的电阻率达到2.65 x 10~(-4) Omega · cm,可见光范围内的平均透过率为91.5%。
收录类别:EI;CSCD
资源类型:期刊论文
原文链接:http://kns.cnki.net/kns/detail/detail.aspx?FileName=RGJT201312009&DbName=CJFQ2013
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