标题:ZnGeP_2晶体生长及后处理的研究
作者:于童童;张翔;王善朋;陶绪堂;
作者机构:[于童童;张翔;王善朋;陶绪堂]山东大学
会议名称:第十七届全国晶体生长与材料学术会议(CCCG-17)
来源:第十七届全国晶体生长与材料学术会议摘要集
出版年:2015
关键词:ZnGeP_2;晶体生长;晶体后处理;吸收系数
摘要:ZnGeP_2(ZGP)属于AⅡBⅣCV2型黄铜矿结构半导体化合物,四方晶系,I-42d空间群[1]。具有非线性系数大,热导率高,透过范围宽,机械性能好,可调谐范围宽等优点,被认为是目前综合性能最好的中红外非线性光学材料[2]。目前,ZGP-OPO在3~5微米波段可以实现41W的输出[3]。我们课题组主要采用单温区法合成多晶料,通过一炉装多管的方法,提高效率,一炉至少可以合成高纯多晶料220多克。采用坩埚下降法,通过自发形核和籽晶法两种方法生长单晶。目前,自发形核可以生长Φ17mm×60mm的单晶,采用定向籽晶法生长的单晶尺寸为Φ19mm×70mm。2微米处的吸收是限制ZGP晶体的发展的主要问...
资源类型:会议论文
原文链接:http://kns.cnki.net/kns/detail/detail.aspx?FileName=EUGQ201508002036&DbName=CPFD2015
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