标题:复合离子(NaCe)取代SrBi_4Ti_4O_(15)陶瓷的介电、铁电、压电特性研究
作者:郇正利; 闫锋; 王文林; 陆宏婷; 王春明
作者机构:[郇正利]中国电子科技集团公司第四十六研究所, 天津 300220, 中国;[闫锋]中国电子科技集团公司第四十六研究所, 天津 300220, 中国;[王文林]中国电子科技集团公司 更多
来源:电子元件与材料
出版年:2019
卷:38
期:3
页码:34-39
关键词:钛酸铋锶; 无机非金属材料; 无铅压电陶瓷; 铁电体; 介电特性; 压电系数
摘要:利用普通陶瓷工艺制备了A位复合离子(NaCe)取代的Sr_(1-x)(NaCe)_(x/2)Bi_4Ti_4O_(15)(x= 0.00~; 0.20)压电陶瓷,研究了(NaCe)对SrBi_4Ti_4O_(15)(SBT)陶瓷的介电、铁电和压电特性的影响。研究表明,复合离子(NaCe; )的取代降低了SBT陶瓷的介电损耗tandelta,降低了SBT陶瓷的矫顽电场E c,提高了SBT陶瓷的压电系数d; 33。纯的SBT压电陶瓷的矫顽场E c= 94 kV/ cm,复合离子(NaCe)取代的SBT-NaCe(x= 0.10)陶瓷的矫顽场E c=; 70 kV/cm。随着复合离子(NaCe)含量的增加,SBT的压电性能先增加,然后减小。在x= 0.10组分处,SBT-NaCe(x=; 0.10)陶瓷具有最大的压电系数d 33= 28 pC/N,约为纯的SBT陶瓷压电系数(d 33约15 pC/N)的两倍,其居里温度T; C为510; ℃。复合离子(NaCe)取代SBT陶瓷压电性能的提高归因于复合离子(NaCe)的取代降低了SBT压电陶瓷的矫顽电场,使得SBT压电陶瓷更容易极化; ,从而发挥其潜在的压电性能。同时,压电性能的提高还归因于复合离子(NaCe)的取代降低了SBT压电陶瓷的介电损耗和漏电流。材料的退火实验表明:复; 合离子(NaCe)取代的SrBi_4Ti_4O_(15)压电陶瓷在400 ℃以下具有较好的压电性能温度稳定性。
收录类别:CSCD
资源类型:期刊论文
原文链接:http://kns.cnki.net/kns/detail/detail.aspx?FileName=DZAL201903007&DbName=CJFQ2019
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