标题:通过生长低温插入层制备自剥离HVPE氮化镓的方法
作者:田媛;郝霄鹏;吴拥中;张雷;邵永亮;戴元滨;霍勤;张保国;
作者机构:[田媛;郝霄鹏;吴拥中;张雷;邵永亮;戴元滨;霍勤;张保国]山东大学
会议名称:第十七届全国晶体生长与材料学术会议(CCCG-17)
来源:第十七届全国晶体生长与材料学术会议摘要集
出版年:2015
关键词:氮化镓;氢化物气相外延法;自剥离;插入层
摘要:氢化物气相外延法(HVPE)是最有前景的制备自支撑氮化镓(GaN)的方法,具有生长速度快,成本低,生长的GaN质量好等优点。目前,HVPE法生长GaN主要采用异质衬底,如Al_2O_3、SiC和GaAs等。因此,如何将GaN和异质衬底分离成为了一个非常重要的问题。科研工作者已经采用了很多方法来实现GaN和异质衬底的分离,比如机械研磨、激光剥离、电化学腐蚀、空位辅助剥离和侧向过生长等,但这个问题远未完美解决。本文通过在衬底和GaN之间生长低温插入层,并对低温插入层进行高温退火实现GaN和异质衬底的自剥离。通过对比不同低温插入层的厚度和不同退火时间下生长的GaN的晶体质量和内部应力,得到了最佳的低...
资源类型:会议论文
原文链接:http://kns.cnki.net/kns/detail/detail.aspx?FileName=EUGQ201508002213&DbName=CPFD2015
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