标题:铜膜碘化法制备p型CuI薄膜及其用作空穴传输层的反型钙钛矿电池性能
作者:刘畅;苑帅;张海良;曹丙强;吴莉莉;尹龙卫;
作者机构:[刘畅;苑帅;张海良;曹丙强;吴莉莉;尹龙卫]山东大学材料科学与工程学院;[刘畅;苑帅;张海良;曹丙强;吴莉莉;尹龙卫]济南大学材料科学与工程学院 更多
通讯作者:Cao, BingQiang
通讯作者地址:[Cao, BQ]Univ Jinan, Sch Mat Sci & Engn, Jinan 250022, Peoples R China.
来源:无机材料学报
出版年:2016
卷:31
期:4
页码:358-364
DOI:10.15541/jim20150455
关键词:碘化亚铜;铜膜碘化法;透明导电;反型钙钛矿太阳能电池
摘要:γ相碘化亚铜(γ-Cu I)是一种带隙为3.1 e V的p型半导体材料,适合应用于发光二极管和太阳能电池等光电子器件。本研究利用简单的铜膜碘化法制备了Cu I薄膜,探究了碘化时间、温度及铜/碘比等生长条件对其透明导电性能的影响。在最优碘化时间(30 min)和碘化温度(120℃)下,制备出了高透过率(可见光范围>75%)、导电性能好(电阻率4.4×10-2?·cm)的Cu I薄膜。利用Cu I薄膜作为空穴传输层,组装了Cu I/CH3NH3Pb I3/PCBM反型平面钙钛矿电池,获得的最高光电转换效率为8.35%,讨论了Cu I薄膜透明导电性能对钙钛矿电池光电转换效率的影响机理。
收录类别:EI;SCOPUS;SCIE
Scopus被引频次:1
资源类型:期刊论文
原文链接:http://kns.cnki.net/kns/detail/detail.aspx?FileName=WGCL201604004&DbName=CJFQ2016
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