标题:Na对SnO_2-CoO-Nb_2O_5系压敏材料电学性能的影响
作者:王春明;王矜奉;陈洪存;王文新;苏文斌;臧国忠;亓鹏
作者机构:[王春明] 山东大学物理与微电子学院, 晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东 250100, 中国.;[王矜奉] 山东大学物理与微电子学院, 晶体材料国家重点实验室, 济南, 山 更多
来源:功能材料
出版年:2003
卷:34
期:6
页码:679-681
关键词:碳酸钠; 二氧化锡; 压敏材料; 肖特基势垒; 压敏电压
摘要:研究了Na对新型(Co,Nb)掺杂SnO_2压敏材料微观结构和电学性质的影响。当Na_2CO_3的含量从0增加到1.2 mol%时,(Co,Nb)掺杂SnO_2压敏电阻的击穿电压从275V/mm增到919V/mm。样品的微观结构分析发现,当Na_2CO_3的含量从 0增加到1.2 mol%时,SnO_2的晶粒尺寸明显的变小。晶界热垒高度测量揭示,SnO_2的晶粒尺寸的迅速减小是压敏电压急剧增高的原因。对Na含量增加引起Sn O_2晶粒减小的根源进行了解释。掺杂0.4 mol% Na_2CO_3的SnO_2压敏电阻非线性系数达28.4,击穿电压为755V/mm,掺杂1.2 mol% Na_2CO_3的SnO_2压敏电阻非线性系数为11.5,击穿电压高达919V/mm,它们在中高压保护领域会有很好的应用前景。本文并指出替代Sn 的受主离子Na不应处于SnO_2晶格中,而是处于间界上,从而进一步解释了压敏压急剧增高的原因。
收录类别:CSCD
资源类型:期刊论文
原文链接:http://kns.cnki.net/kns/detail/detail.aspx?FileName=GNCL200306026&DbName=CJFQ2003
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