专利名称:一种N-B双掺SiC衬底的GaN基无荧光粉的高效白光LED结构及其制备方法和应用
公开(公告)号:CN105226150A
公开(公告)日:2016-01-06
申请(专利权)人:山东大学
发明(设计)人:彭燕;张恒;徐现刚;胡小波;陈秀芳
法律状态:实质审查
摘要:本发明涉及一种N-B双掺SiC衬底的GaN基无荧光粉的高效白光LED结构及其制备方法和应用,包括依次设置的B-N双掺的SiC衬底、GaN缓冲层、非掺杂GaN层、N-GaN层、紫外光多量子阱层、蓝光多量子阱层及P-GaN层。所述白光LED结构为倒装结构,所述紫外光多量子阱层中的紫外光激发B-N双掺的SiC衬底的黄带发光,再与蓝光多量子阱层发出的蓝光结合,从B-N双掺的SiC衬底出射出白光,相比正常封装的LED芯片结构,出光面上无电极,大大增大了出光面积,提高出光效率。本发明无需利用荧光粉进行二次量子转化,提高了设备利用率,简化了工艺,提高了LED能量转换效率及寿命,改善了出射光的质量、发光稳定性和产品重复性。
资源类型:专利
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