标题:二代树状碳硅烷液晶研究Ⅰ.端基含36个丁氧基偶氮苯介晶基元
作者:张其震,刘建强,殷晓颖,张静智,季怡萍,赵晓光,李光
作者机构:[张其震,刘建强,殷晓颖,张静智,季怡萍,赵晓光,李光]山东大学化学化工学院,山东大学化学化工学院,山东大学化学化工学院,山东大学化学化工学院,中国科学院长春应用 更多
通讯作者地址:[Zhang, QZ]Shandong Univ, Sch Chem & Chem Engn, Jinan 250100, Peoples R China.
来源:化学学报
出版年:2003
卷:61
期:3
页码:416-421
关键词:树状化合物;液晶;向列相;高强向错;碳硅烷;第二代;4-丁氧基偶氮苯
摘要:用发散法合成周边含 36个丁氧基偶氮苯介晶基元 (M 5 )端基新的二代树状碳硅烷液晶 (D2 ) ,并用元素分析 ,氢谱 ,激光质谱 ,红外 ,紫外 ,偏光显微镜 ,DSC和WAXD法表征 .D2为向列相 ,与M 5相同 ,二代树状物相态由介晶基元相态决定 .D2液晶态相行为是K85N10 7I10 3N69K ,其熔点比M 5降低 2 7~ 41℃ ,清亮点比M 5降低 17~ 18℃ ,液晶态温区比M 5加宽 10~ 2 3℃ .二代碳硅烷 (D2 )与一代碳硅烷 (D1)相比熔点增加 2~ 3℃ ,清亮点降低 2 6~ 2 9℃ ,液晶态温区减少 2 9~ 31℃ .在二代树状物中观察...
收录类别:CSCD;SCIE
WOS核心被引频次:13
资源类型:期刊论文
原文链接:http://kns.cnki.net/kns/detail/detail.aspx?FileName=HXXB200303021&DbName=CJFQ2003
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