标题:氧分压对铟镓锌氧化物薄膜晶体管性能的影响
作者:刘媛媛;童杨;王雪霞;王昆仑;宋淑梅;杨田林
作者机构:[刘媛媛] 山东大学空间科学与物理学院, 威海, 山东 264209, 中国.;[童杨] 山东大学空间科学与物理学院, 威海, 山东 264209, 中国.;[王雪霞] 山东大学空间科学与物 更多
来源:人工晶体学报
出版年:2014
卷:43
期:12
关键词:射频磁控溅射; 氧分压; 光学带隙
摘要:室温下,利用射频磁控溅射技术在p型< 100 >硅衬底上,不同氧分压下制备了铟镓锌氧化物薄膜晶体管(IGZO TFT)。结果表明,不同氧分压的IGZO薄膜呈非晶态;随着氧分压的增大其光学带隙先增大后减小;IGZO TFT场效应迁移率先增大后减小,器件由耗尽型转变为增强型。当氧分压为7.47%时,IGZO TFT电学性能最好,场效应迁移率为4.44 cm~2/(V ? s),亚阈值摆幅的值是2. 1 V/decade,电流开关比大于10~5。
收录类别:EI;CSCD
资源类型:期刊论文
原文链接:http://lib.cqvip.com/qk/95023X/201412/663549396.html
TOP