标题:利用原位红外光谱研究钙钛矿复合半导体CH_3NH_3PbI_3的稳定性
作者:刘阳;付现伟;赵天宇;廉刚;董宁;宋思德;王琪珑;崔得良;
作者机构:[刘阳] 山东大学, 晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东 250100, 中国.;[付现伟] 山东大学, 晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东 250100, 中国.;[赵天宇] 山东大学 更多
通讯作者:Cui, D(cuidl@sdu.edu.cn)
通讯作者地址:[Cui, DL]Shandong Univ, State Key Lab Crystal Mat, Jinan 250100, Peoples R China.
来源:高等学校化学学报
出版年:2016
卷:37
期:9
页码:1605-1610
DOI:10.7503/cjcu20160179
关键词:钙钛矿;复合半导体;稳定性;原位红外光谱
摘要:利用高压原位红外光谱法实时跟踪监测了CH_3NH_3PbI_3在高压氮气以及不同含量氧气气氛中加热时的变化规律.发现CH_3NH_3PbI_3对氧气十分敏感,当氮气中含有1%(体积分数)的氧气时,CH_3NH_3PbI_3加热到150℃发生分解;继续提高氧气含量到21%,温度升高到100℃时CH_3NH_3PbI_3即发生分解;若在常压高纯氮气中加热,其分解温度则能提高到250℃;若将氮气压力提高到4.0 MPa,CH_3NH_3PbI_3的分解温度进一步提高到270℃.实验结果表明,提高压力和减少环境中的氧含量是改善钙钛矿复合半导体稳定性的有效方法.相应地,复合半导体光电子器件的热处理过程可...
收录类别:EI;CSCD;SCOPUS;SCIE
资源类型:期刊论文
原文链接:https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-84987811198&doi=10.7503%2fcjcu20160179&partnerID=40&md5=50d4a054f97c74a6cd3a62dab5df9a97
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