标题:退火效应对MOCVD生长的ZnO薄膜的影响
作者:朱宝富;黄柏标;秦晓燕;李先林;姚书山;尉吉勇;张琦
作者机构:[朱宝富] 山东大学, 晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东 250100, 中国.;[黄柏标] 山东大学, 晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东 250100, 中国.;[秦晓燕] 山东大 更多
通讯作者:Zhu, BF(bfzhu@icm.sdu.edu.cn)
通讯作者地址:[Zhu, B.-F] Lab. of Crystal Mat., Shandong Univ., Jinan 250100, China;
来源:人工晶体学报
出版年:2004
卷:33
期:5
页码:755-757
关键词:退火; ZnO薄膜; X射线衍射; 光致发光谱
摘要:我们利用MOCVD设备在alpha-Al2O3衬底上生长了c轴取向的ZnO薄膜,通过X射线衍射(XRD)、光致发光谱(PL)对ZnO薄膜进行表征 ,研究了退火对ZnO薄膜光电特性影响.通过退火优化, ZnO薄膜的结晶性得到提高,晶粒尺寸变大,紫外光发射峰的强度相对变强.
收录类别:CSCD;SCOPUS
资源类型:期刊论文
原文链接:https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-10444241844&partnerID=40&md5=27d69efa2511810fb777b6ed19306075
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