标题:用椭圆偏振光谱法研究Ga_xIn_1-_xP的光学性质(Ⅱ)
作者:张淑芝,张燕锋,黄柏标,黄根生,秦晓燕
作者机构:[张淑芝,张燕锋,黄柏标,黄根生,秦晓燕]山东大学光电系,山东大学晶体材料国家重点实验室
来源:山东大学学报(自然科学版)
出版年:1999
期:01
页码:70-75
关键词:介电函数三级微商谱;三点比例内插;有序结构
摘要:用椭偏光谱法对用MOCVD方法在GaAs衬底上生长的GaxIn1-xP掺Si及掺Zn样品在室温下,可见光区得到的光学常数求其介电函数三级微商谱.将用于分析调制反射谱的三点比例法推广,并用来分析介电函数的三级微商谱.精确地得到样品的带隙Eg,Eg+△0以及Eg以上成对结构跃迁的能量位置及其间隔.计算了Eg以及费米能级的相对位置.将实验值与计算值比较,分析其差异的原因,发现样品存在有序结构
资源类型:期刊论文
原文链接:http://kns.cnki.net/kns/detail/detail.aspx?FileName=SDDX901.011&DbName=CJFQ1999
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