标题:掺杂在GaAs材料中Be受主能级之间的跃迁
作者:郑卫民;黄海北;李素梅;丛伟艳;王爱芳;李斌;宋迎新
作者机构:[郑卫民;黄海北;李素梅;丛伟艳;王爱芳;李斌;宋迎新]山东大学(威海)空间科学与物理学院.;[郑卫民;黄海北;李素梅;丛伟艳;王爱芳;李斌;宋迎新]山东大学化学与化学工 更多
通讯作者:Zheng, WM;Li, B;Zheng, WeiMin
通讯作者地址:[Zheng, WM]Shandong Univ Weihai, Sch Space Sci & Phys, Weihai 264209, Peoples R China;[Li, B]Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Tech Phys, Shanghai 20008 更多
来源:物理学报
出版年:2019
卷:68
期:18
页码:262-267
DOI:10.7498/aps.68.20190254
关键词:远红外吸收谱;;Raman光谱;;光致发光光谱;;Be受主能态结构
摘要:通过远红外吸收谱、光致发光光谱和拉曼散射光谱,对均匀掺杂在GaAs材料中Be受主能级之间的跃迁进行了研究.实验中使用的GaAs:Be样品是通过分子束外延设备,生长在半绝缘(100) GaAs衬底之上的外延单层.在4.2 K温度下,对样品分别进行了远红外吸收光谱、光致发光光谱、Raman光谱的实验测量.在远红外吸收光谱中,清楚地观察到了从Be受主1S_(3/2)Γ_8基态到它的三个激发态2P_(3/2)Γ_8, 2P5/2Γ_8和2P5/2Γ_7之间的奇宇称跃迁吸收峰.跃迁能量与先前文献中报道的符合得很好.从光致发光光谱中,观察到了Be受主从1S_(3/2)Γ_8基态到2S_(3/2)Γ_8激发...
收录类别:EI;CSCD;SCIE
资源类型:期刊论文
原文链接:http://kns.cnki.net/kcms/detail/detail.aspx?FileName=WLXB201918028&DbName=CJFQ2019
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