标题:功率VDMOSFET核心工艺参数的优化研究
作者:赵志桓;姜维宾;韩希方;张礼;李惠军;李东华
作者机构:[赵志桓] 济南市半导体元件实验所, 济南, 山东 250014, 中国.;[姜维宾] 济南市半导体元件实验所, 济南, 山东 250014, 中国.;[韩希方] 济南市半导体元件实验所, 济 更多
来源:半导体技术
出版年:2011
卷:36
期:9
页码:693-696
关键词:功率; 优化; 仿真; 工艺参数; 可制造性设计; 验证
摘要:依据垂直双扩散场效应晶体管(VDMOSFET)的结构设计及参数要求,使用新一代 Sentaurus系列TCAD工具对分立器件VDMOSFET进行分析。通过此工具可以对VDMOSFET的工艺结构级和半导体器件物理特性级进行可制 造性设计及验证。本工作重点分析了能够影响功率 VDMOSFET导通电阻、阈值电压等各种因素及其之间的关系,对沟道区、p+区和n+源区掺杂浓度,以及注入后的退火温度和时间等工艺参数进行优化设置 。结果表明,通过使用Sentaurus系列TCAD工具对VDMOSFET器件进行模拟与分析所得出的参数能够达到IR公司的IRF140的设计水平
收录类别:CSCD
资源类型:期刊论文
原文链接:http://kns.cnki.net/kns/detail/detail.aspx?FileName=BDTJ201109012&DbName=CJFQ2011
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