标题:含硼金刚石与普通金刚石半导体性及抗氧化性比较
作者:宫建红;林淑霞;阮立群;高军
作者机构:[宫建红] 山东大学威海分校机电工程学院, 威海, 山东 264209, 中国.;[林淑霞] 山东大学威海分校机电工程学院, 威海, 山东 264209, 中国.;[高军] 山东大学威海分校 更多
通讯作者地址:[Gong, J.-H] School of Mechanical and Electrical Engineering, Shandong University at Weihai, Weihai 264209, China
来源:功能材料
出版年:2009
卷:40
期:11
页码:1877-1879
关键词:金刚石; 硼; 半导体性能; 抗氧化性
摘要:通过在铁基合金中加入硼粉的方法,制成含硼量0.2%(质量分数)的Fe-Ni-C-B系触媒,用静压法合成含硼金刚石.研究了普通金刚石和含硼金刚石的 形貌、晶体结构、电阻-温度曲线和抗氧化性.实验表明,合成的含硼金刚石具有良好的半导体性,电离能DeltaE=0.368eV;起始氧化温度比普通金 刚石高185℃,耐热性明显改善.此方法为低成本、大批量的制备半导体金刚石提供了新的途径.
收录类别:EI;CSCD;SCOPUS
资源类型:期刊论文
原文链接:https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-72449188642&partnerID=40&md5=19c72f90a16fa2cee8e01ac3fce70d39
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