标题:结构有序硅酸镓钽钙单晶的生长和电弹性能表征
作者:侯帅;于法鹏;王圣来;赵显;
作者机构:[侯帅;于法鹏;王圣来;赵显]山东大学晶体材料研究所
会议名称:第十七届全国晶体生长与材料学术会议(CCCG-17)
来源:第十七届全国晶体生长与材料学术会议摘要集
出版年:2015
关键词:晶体生长;电弹常数;阻抗法;超声脉冲法
摘要:硅酸镓钽钙晶体Ca_3TaGa_3Si_2O_(14)(CTGS)属于三方晶系,32点群,熔点~1450℃C,在高温压电传感技术领域具有明朗的应用前景。CTGS压电晶体元件的设计依赖于对电弹常数的准确获得,但目前报道的该晶体的性能参数存在较大的差异,给元器件设计带来不便,为此,解决电弹常数的测算问题,成为当前开发该晶体压电传感应用的基础和前提。本工作采用提拉法生长了尺寸为20×20×30 mm~3的优质CTGS单晶,并综合阻抗法和超声脉冲法对生长的CTGS晶体的电弹常数进行了测算,并与国外文献报道进行了比对。通过特殊切型设计,我们对个别误差较大的参数进行了核测。与阻抗法测算结果相比,超声法测得...
资源类型:会议论文
原文链接:http://kns.cnki.net/kns/detail/detail.aspx?FileName=EUGQ201508002259&DbName=CPFD2015
TOP