标题:InGaAlP/InGaP多量子阱中的红外向可见光的上转换
作者:尉吉勇;黄柏标;于永芹;张琦;姚书山;张晓阳;秦晓燕
作者机构:[尉吉勇] 山东大学晶体材料研究所, 晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东 250100, 中国.;[黄柏标] 山东大学晶体材料研究所, 晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东 更多
通讯作者:Wei, JY(vjyong@icm.sdu.edu.cn)
通讯作者地址:[Wei, J.-Y] State Key Laboratory of Crystal Materials, Institute of Crystal Materials, Shandong University, Jinan 250100, China;
来源:人工晶体学报
出版年:2005
卷:34
期:4
页码:585-588
关键词:量子阱; 光学上转换; 双光子吸收
摘要:利用808nm激光二极管泵浦的Nd:YAG晶体发出的1064nm皮秒激光器实现了InGaAlP多量子阱材料的红外1064nm向可见光波长660n m、625nm、580nm的上转换,并且通过条纹相机收集的时间分辨表征了此材料的上转换激发态的寿命.波长1064nm向625nm的上转换激发态寿 命约为5ns,而1064nm向660nm的上转换激发态寿命约为7ns.通过双光子原理解释了此现象.
收录类别:EI;CSCD;SCOPUS
资源类型:期刊论文
原文链接:https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-25844473392&partnerID=40&md5=d25fb2d1e0f5c44c9b158dbc4c1d0d82
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