标题:HVPE生长室气流分布模拟及GaCl载气流量对GaN单晶生长的影响
作者:张雷;邵永亮;吴拥中;张浩东;郝霄鹏;蒋民华
作者机构:[张雷] 山东大学, 晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东 250100, 中国.;[邵永亮] 山东大学, 晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东 250100, 中国.;[吴拥中] 山东大学 更多
通讯作者:Hao, XP(xphao@sdu.edu.cn)
通讯作者地址:[Hao, X.-P] State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan 250100, China;
来源:人工晶体学报
出版年:2011
卷:40
期:4
页码:853-857
关键词:模拟; 氢化物气相外延; 气流分布
摘要:采用计算流体力学软件Fluent对HVPE反应室进行了数值模拟,研究了GaCl载气流量对HVPE反应室气流分布的影响,发现GaCl载气流量是影响 GaCl和NH_3在衬底上均匀分布的重要因素。采用HVPE方法在不同GaCl载气流量下生长GaN单晶,研究了GaCl载气流量对GaN单晶质量的影 响,得到了与模拟一致的结果。
收录类别:EI;CSCD;SCOPUS
Scopus被引频次:3
资源类型:期刊论文
原文链接:https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-80053490788&partnerID=40&md5=f943e14246c3611ef303c858954a9845
TOP