标题:ZnO:Ga透明导电膜的低温制备及特性研究
作者:余旭浒[1];马瑾[1];计峰[1];王玉恒[1];宗福建[1];张锡健[1];程传福[1];马洪磊[1]
作者机构:[余旭浒;马瑾;计峰;王玉恒;宗福建;张锡健;程传福;马洪磊]山东大学,物理与微电子学院,山东,济南,250100 山东大学,物理与微电子学院,山东,济南,250100 山东大学,物 更多
来源:功能材料
出版年:2004
期:z1
关键词:磁控溅射;ZNO:GA;光电特性;
摘要:采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上低温制备出高质量的镓掺杂氧化锌(ZnO:Ga)透明导电膜,对薄膜的结构和光电特性以及制备参数对薄膜性能的影响进行了研究.制备的ZnO:Ga是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜,最佳择优取向为(002)方向.薄膜的最低电阻率达到了3.9×10-4Ωcm,方块电阻~4.6Ω/□,薄膜具有良好的附着性,在可见光区的平均透过率达到90%以上.
资源类型:期刊论文
原文链接:http://lib.cqvip.com/qk/92397A/2004z1/1000313477.html
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