标题:MOCVD生长高铝值Al_xGaAs(x≥0.7)中的碳掺杂
作者:王成新,黄柏标,徐现刚,秦晓燕,于淑琴,蒋民华
作者机构:[王成新,黄柏标,徐现刚,秦晓燕,于淑琴,蒋民华]山东大学晶体材料研究所
来源:山东大学学报(自然科学版)
出版年:1997
期:03
页码:53-56
关键词:MOCVD;碳掺杂;Al_xGa_(1-x)As
摘要:报道了MOCVD生长的高铝值AlxGaAs(x≥0.7)中的非故意碳掺杂.实验研究了Ⅴ/Ⅲ比、生长温度、生长压力、生长速率对载流子浓度的影响,实验发现:碳掺杂主要取决于Ⅴ/Ⅲ比、生长压力、生长速率.在650℃到760℃之间,生长温度对碳掺杂没有太大影响.
资源类型:期刊论文
原文链接:http://kns.cnki.net/kns/detail/detail.aspx?FileName=SDDX703.008&DbName=CJFQ1997
TOP