标题:退火温度对射频磁控溅射法生长的Mg0.16Zn0.84O薄膜性质的影响
作者:张锡健[1];马洪磊[1];王卿璞[1];马瑾[1];宗福建[1];肖洪地[1];计峰[1]
作者机构:[张锡健;马洪磊;王卿璞;马瑾;宗福建;肖洪地;计峰]山东大学,物理与微电子学院,济南,山东,250100 山东大学,物理与微电子学院,济南,山东,250100 山东大学,物理与微电 更多
来源:功能材料
出版年:2004
期:z1
关键词:MgZn1-xO薄膜;AFM;XRD;退火;
摘要:采用射频磁控溅射的方法在硅衬底上生长出高质量的Mg0.16Zn0.84O薄膜.用X射线(XRD)、原子力显微镜(AFM)分别研究了在200、400、600和800℃下空气中退火2h的Mg0.16Zn0 84O薄膜的结构、表面形貌.结果表明,Mg0.16Zn0.84O薄膜是六角纤锌矿结构,具有沿与衬底垂直的C轴的择优取向;随着样品退火温度的升高,(002)衍射峰强度明显增强,衍射峰半高宽(FWHM)由0.86°单调地降低到0.40°,晶粒大小明显增大,最大的高达400nm以上.用TV1900型双光束紫外可见分光光度计测量了淀积在蓝宝石衬底上的Mg0.16Zn0.84O薄膜室温的透射谱,得到可见光区的平均透过率约为95%,进而估算出Mg0.16Zn0.84O薄膜的带隙宽度约为3.58eV.
资源类型:期刊论文
原文链接:http://lib.cqvip.com/qk/92397A/2004z1/1000313499.html
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