标题:MOCVD方法制备In_2O_3薄膜的性质研究
作者:杨帆;马瑾;冯先进;孔今沂;张凯;
作者机构:[杨帆]山东大学物理与微电子学院;[马瑾]山东大学物理与微电子学院;[冯先进]山东大学物理与微电子学院;[孔今沂]山东大学物理与微电子学院;[张凯]山东大学物理与微 更多
会议名称:第六届中国功能材料及其应用学术会议
来源:第六届中国功能材料及其应用学术会议论文集(1)
出版年:2007
期:A0
关键词:MOCVD;In_2O_3薄膜;结构性质;光电性质
摘要:用金属有机化学气相淀积(MOCVD)方法以三甲基铟为源材料,以 O_2为氧化气体,在蓝宝石衬底(0001) 面上生长出了高质量的立方相 In_2O_3薄膜。研究了 In_2O_3 薄膜的结构、表面形貌和光电性质。结果表明制备样品具有 In_2O_3体心立方结构和(222)方向择优取向生长,电阻率~6.40×10~(-3)Ω·cm,在可见光区域的平均透过率达到了90%以上。
资源类型:会议论文;期刊论文
原文链接:http://kns.cnki.net/kns/detail/detail.aspx?FileName=GNCL200711001089&DbName=CPFD2008
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