标题:Cl_2/H_2 ICP刻蚀优化及其在1.55μm DFB激光器制作中的应用
作者:江山;董雷;张瑞康;罗勇;谢世钟;
作者机构:[江山;董雷;张瑞康;罗勇;谢世钟]武汉光迅科技股份有限公司;[江山;董雷;张瑞康;罗勇;谢世钟]山东大学信息科学与工程学院;[江山;董雷;张瑞康;罗勇;谢世钟]清华大学 更多
来源:光电子.激光
出版年:2009
期:05
页码:583-586
关键词:电感耦合等离子体(ICP)刻蚀;金属氧化物化学气相沉积(MOCVD);分布反馈(DFB)激光器;可靠性
摘要:采用特别设计的InGaAsP/InP多量子阱结构(MQW),研究了Cl2/H2电感耦合等离子体(ICP)刻蚀损伤,优化了低损伤ICP刻蚀的关键工艺参数,得到了一种低损伤、形貌良好的Bragg光栅的制作方法。结合优化的InP材料金属有机物化学气相沉积(MOCVD)外延生长工艺,制作出1.55μm分布反馈(DFB)激光器,端面镀膜前其阈值电流和斜率效率分别为15mA和0.3mW/mA,边模抑制比大于45dB。寿命加速老化实验结果显示,该器件40℃的中值寿命超过2×106h,表明了本文ICP光栅刻蚀工艺的可靠性。
资源类型:期刊论文
原文链接:http://kns.cnki.net/kns/detail/detail.aspx?FileName=GDZJ200905006&DbName=CJFQ2009
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