标题:三代树状碳硅烷液晶研究——端基含丁氧基偶氮苯介晶基元
作者:张其震[1];殷晓颖[1];王大庆[2];李光[3];季怡萍[3];赵晓光[3]
作者机构:[张其震] 山东大学化学化工学院, 济南, 山东 201000, 中国.;[殷晓颖] 山东大学化学化工学院, 济南, 山东 201000, 中国.;[王大庆] 山东师范大学测试中心, 济南, 山 更多
通讯作者:Zhang, QZ(qzzhang@sdu.edu.cn)
通讯作者地址:[Zhang, QZ]Shandong Univ, Sch Chem & Chem Engn, Jinan 250100, Peoples R China.
来源:化学学报
出版年:2003
卷:61
期:4
页码:619-624
关键词:三代树状碳硅烷液晶;丁氧基偶氮苯;介晶基元;合成;
摘要:用发散法合成周边含丁氧基偶氮苯介晶基元(M5)端基新的三代树状碳硅烷(D3)液晶,并用元素分析、核磁共振、激光解吸电离飞行时间质谱(MALDI-TOF-MS)、红外、紫外、偏光显微镜、差示扫描量热(DSC)和广角X射线衍射(WAXD)表征,D3为向列相与M5相同,树状物相态由介晶基元相态决定,D3相行为:K79N126I116N,D3熔点比M5降低33℃,D3清亮点比M5增加2℃,D3液晶态温区比M5加宽35℃.
收录类别:CSCD;SCOPUS;SCIE
WOS核心被引频次:11
Scopus被引频次:10
资源类型:期刊论文
原文链接:https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-26844510584&partnerID=40&md5=e707963f7c9a5bbcf39e39065a62febd
TOP