标题:电子束在MEMS加工中邻近效应的分析与补偿
作者:尹明;张玉林;程建辉
作者机构:[尹明] 山东大学控制科学与工程学院, 济南, 山东 250061, 中国.;[张玉林] 山东大学控制科学与工程学院, 济南, 山东 250061, 中国.;[程建辉] 山东大学机械工程学院 更多
通讯作者:Yin, M(sdyinming@sohu.com)
通讯作者地址:[Yin, M] Sch. of Control Sci. and Eng., Shandong Univ., Jinan 250061, China;
来源:机械工程学报
出版年:2004
卷:40
期:9
页码:67-70
关键词:邻近效应; 微机电系统; 畸变; 最优状态; 校正
摘要:电子束刻蚀后,通过刻蚀改变了薄膜基片中的分子的重量,并导致希望曝光区域和实际曝光区域不一致,这一现象被称为\"邻近效应\".利用SDS-3电子束曝光 机完成有关邻近效应的试验.加工过程中加速电压为5~ 30 kV,衬底基片为硅和PMMA,使校正后邻近效应参量减少30%.给出实际完成基片图.
收录类别:CSCD;SCOPUS
资源类型:期刊论文
原文链接:https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-10444250393&partnerID=40&md5=7ad5a3989de81378ca6f2ba530e486cf
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