标题:外加电场下硅表面烷烃单层膜的分子模拟研究
作者:苑世领;严以京;徐桂英;
作者机构:[苑世领]山东大学胶体与界面化学研究所;[严以京]香港科技大学化学系;[徐桂英]山东大学胶体与界面化学研究所
会议名称:中国化学会第十届胶体与界面化学会议
来源:中国化学会第十届胶体与界面化学会议论文摘要集
出版年:2004
关键词:硅表面;单层;外加电场;烷烃;饱和脂肪族烃;分子模拟;
摘要:硅(111)表面上进行的烷烃改性在生物传感器和半导体器件中有着诱人的应用前景。许多的化学方法如烯烃、格氏试剂等与处理过的氢终止硅表面进行反应,可以得到致密、有序的烷烃单层。大量的实验方法如FTIR、SEM、AES等都用作探讨这些有机改性单层的物理和化学性质,但是对于微观上的性质和形态描述还存在缺陷。分子模拟方法可以从分子水平上对上述表面上的一个或者多个分子链的聚集情况加以描述(见图1)。
资源类型:会议论文
原文链接:http://kns.cnki.net/kns/detail/detail.aspx?FileName=ZGHY200409004112&DbName=CPFD2004
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