标题:制约硅晶片减薄因素研究分析
作者:刘腾云;葛培琪;高玉飞
作者机构:[刘腾云] 山东大学机械工程学院, 济南, 山东 250061, 中国.;[高玉飞] 山东大学机械工程学院, 济南, 山东 250061, 中国.;[葛培琪] 山东大学机械工程学院, 高效洁净 更多
通讯作者:Ge, PQ(pqge@sdu.edu.cn)
通讯作者地址:[Ge, P.-Q] School of Mechanical Engineering, Shandong UniversityChina;
来源:人工晶体学报
出版年:2015
卷:44
期:7
页码:1719-1724
关键词:硅晶片; 晶片厚度; 断裂强度; 刚度
摘要:随着硅晶片薄型化发展,减少硅晶片厚度已成为降低芯片制造成本的重要措施。但在硅晶片制造加工过程中,许多因素制约了其减薄。针对硅晶片减薄问题,总结分 析了制约硅晶片减薄因素,重点阐述了硅晶片厚度与硅晶片的断裂强度、刚度、翘曲度、固有频率的关系,分析了减小硅晶片厚度对硅晶片加工、检测和运输的影响 ,并对硅晶片厚度标准化问题进行了讨论,最后得到了制约硅晶片减薄的关键因素。
收录类别:EI;CSCD;SCOPUS
Scopus被引频次:2
资源类型:期刊论文
原文链接:https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-84940186580&partnerID=40&md5=075307d98cfc8ba3966bc5e8d2223d04
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