标题:a-SiC:H/a-Si:H复合膜对半导体器件钝化作用的研究
作者:宋学文;陆大荣;宗福建;
作者机构:[宋学文;陆大荣;宗福建] 山东大学物理系,山东大学物理系,山东大学物理系,
来源:山东大学学报(自然科学版)
出版年:1989
期:01
页码:44-48
关键词:非晶硅薄膜;钝化处理;钝化作用机理
摘要:本文简述了用α-SiC:H/α-Si:H复合膜钝化硅平面器件的钝化机理,并成功地应用于硅平面小功率晶体管的表面钝化,实验表明,钝化后的器件反向漏电流降低了2~3个数量级;小注入下的电流放大系数提高了3~4倍;室温—200℃的BT实验表明,未钝化的器件200℃时的电流放大系数比室温时增加了300%,而钝化后的器件只增加了75%。这些结果主要归因于钝化膜中原子态氢在到达SiO_2-Si界面处与界面处悬挂键结合,降低了界面态密度。
资源类型:期刊论文
原文链接:http://kns.cnki.net/kns/detail/detail.aspx?FileName=SDDX198901006&DbName=CJFQ1989
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