标题:InP/InGaAsP舁质结ICP刻蚀表面损伤
作者:Dong,Lei;Zhang,Ruikang;Jiang,Shan;Zhao,Shengzhi;Liu,Shuihua
作者机构:[董雷] 山东大学信息科学与工程学院, 济南, 山东 250100, 中国.;[赵圣之] 山东大学信息科学与工程学院, 济南, 山东 250100, 中国.;[张瑞康] 武汉光迅科技公司, 武 更多
通讯作者:Dong, L(lei.dong@accelink.com)
通讯作者地址:Dong, L.; School of Information Science and Engineering, Shandong University, Jinan 250100, China; 电子邮件: lei.dong@accelink.com
来源:功能材料与器件学报
出版年:2010
卷:16
期:3
页码:243-248
DOI:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.03.009
关键词:等离子体刻蚀; 干法刻蚀损伤; 感应耦合等离子体; 光荧光
摘要:本文详细研究了采用Cl_2/H_2刻蚀气体时, ICP刻蚀系统对InP/InGaAsP材料表面损伤的影响.通过设计特殊结构的InP/InGaAsP多量子阱结构,测量刻蚀区域及非刻蚀区域的光荧光 强度的变化,并结合高斯深度分布模型对刻蚀损伤进行定量研究.详细研究ICP刻蚀系统中的压强、 ICP功率、RF功率以及Cl_2/H_2,刻蚀气体组分对损伤程度的影响.基于这些结果优化得到一组低损伤参数,最终实现刻蚀损伤深度小于16nm.
收录类别:SCOPUS;CSCD;SCOPUS
资源类型:期刊论文
原文链接:https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-84861324390&partnerID=40&md5=10adbf76665a2468b66538973ab61384
TOP