标题:不同浓度Ag掺杂ZnS的电子结构及光学性质的第一性原理研究
作者:王骏齐;张衍敏;陈天弟;王恒;田遴博;冯超;夏金宝;张飒飒
作者机构:[王骏齐;张衍敏;陈天弟;王恒;田遴博;冯超;夏金宝;张飒飒]山东大学信息科学与工程学院.;[王骏齐;张衍敏;陈天弟;王恒;田遴博;冯超;夏金宝;张飒飒]山东大学晶体材料 更多
来源:材料导报
出版年:2019
期:S1
页码:33-36
关键词:第一性原理;;密度泛函理论;;掺杂;;光学性质
摘要:具有优良热红外透明性的ZnS是一种重要的宽禁带半导体材料,在电致发光以及荧光效应方面有很大的潜力,因此被广泛用于发光器件和光催化等领域。对于ZnS进行适当的掺杂能有效改变其发光和吸收性能,从而让其作为发光材料拥有更大的应用价值。本工作应用基于密度泛函理论的第一性原理,计算并对比分析了纯净ZnS以及Ag掺杂浓度分别为3.125%、9.375%、25%、50%的ZnS的晶体学结构、电子性质以及光学性质。研究结果表明,更高的掺杂浓度能有效降低禁带宽度,并增强ZnS在红外波段的光学吸收与反射。本研究为制备Ag掺杂ZnS半导体提供了理论依据,针对不同需求调节掺杂浓度以制备特定性能的ZnS晶体。
资源类型:期刊论文
原文链接:http://kns.cnki.net/kns/detail/detail.aspx?FileName=CLDB2019S1006&DbName=CJFQPREP
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