标题:高能电子束对抗蚀剂曝光的Monte Carlo模拟
作者:宋会英,张玉林,魏强,孔祥东
作者机构:[宋会英] 山东大学控制学院电子束研究所, 济南, 山东 250061, 中国.;[张玉林] 山东大学控制学院电子束研究所, 济南, 山东 250061, 中国.;[魏强] 山东大学控制学院 更多
通讯作者地址:[Song, HY]Shandong Univ, Inst Electron Beam, Jinan 250061, Peoples R China.
来源:高能物理与核物理
出版年:2005
卷:29
期:12
页码:103-108
关键词:电子束光刻;Monte Carlo模拟;邻近效应;二次电子
摘要:利用分段散射模型,借助Monte Carlo方法模拟了具有高斯分布特征的高能入射电子束(50keV≤E0≤100keV)在抗蚀剂中的散射过程,分别得到了不同曝光条件下的电子背散射系数和能量沉积分布, 模拟结果与实验结果很好地符合.在这一能量段,当电子束能量越高、抗蚀剂越薄、基片材料的原子序数越低时,邻近效应越弱.本文的模拟结果不仅能为高能电子束光刻工艺优化曝光条件、降低邻近效应提供理论指导,而且能为进一步的邻近效应的校正提供更精确的数据.
收录类别:EI;CSCD;SCOPUS;SCIE
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资源类型:期刊论文
原文链接:https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-29144502534&partnerID=40&md5=f8d4fa168ab340ad5204ef0f9393056f
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