标题:AlGaN 成核层对SiC 衬底外延GaN 薄膜应力及缺陷影响的研究
作者:徐明升;胡小波;徐现刚
作者机构:[徐明升] 山东大学, 晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东 250100, 中国.;[胡小波] 山东大学, 晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东 250100, 中国.;[徐现刚] 山东大 更多
通讯作者:Xu, MS(mshxu@163.com)
通讯作者地址:[Xu, M.-S] State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan 250100, China;
来源:人工晶体学报
出版年:2014
卷:43
期:6
页码:1346-1350
关键词:SiC 衬底; GaN 薄膜; AlGaN 成核层; 应力; 晶体质量
摘要:研究了成核层生长条件对SiC衬底上GaN薄膜晶体质量和剩余应力的影响。采用AlGaN成核层并提高其生长温度,能明显降低SiC衬底上GaN外延层的 缺陷密度和剩余应力。GaN薄膜的高分辨XRD摇摆曲线(0002)和(10-12)面的半峰宽达到161 arcsec和244 arcsec,拉曼频移达到567. 7 cm~(-1)。成核层的原子力显微镜结果显示GaN薄膜的晶体质量随着成核岛密度的降低而提高。
收录类别:EI;CSCD;SCOPUS
Scopus被引频次:1
资源类型:期刊论文
原文链接:https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-84904889704&partnerID=40&md5=07c3fd3f3b8571da7b2c6ef6e1ecf4c5
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