标题:Ti/HfO_2/Pt阻变存储单元中的氧空位聚簇分布
作者:蒋然;杜翔浩;韩祖银;孙维登;
作者机构:[蒋然;杜翔浩;韩祖银;孙维登]山东大学物理学院
来源:物理学报
出版年:2015
期:20
页码:358-363
关键词:HfO_2;氧空位;导电细丝;阻变存储器
摘要:为了研究阻变存储器导电细丝的形成位置和分布规律,使用X射线光电子能谱研究了Ti/HfO_2/Pt阻变存储器件单元中Hf 4f的空间分布,得到了阻变层的微结构信息.通过I-V测试,得到该器件单元具有典型的阻变特性;通过针对Hf 4f的不同深度测试,发现处于低阻态时,随着深度的增加,Hf~(4+)化学组分单调地减小;而处于高阻态和未施加电压前,该组分呈现波动分布;通过Hf~(4+)在高阻态和低阻态下组分含量以及电子能损失谱分析,得到高阻态下Hf~(4+)组分的平均含量要高于低阻态;另外,高阻态和低阻态下的O 1s谱随深度的演变也验证了Hf~(4+)的变化规律.根据实验结果,提出了局域分布的氧空位聚...
资源类型:期刊论文
原文链接:http://kns.cnki.net/kns/detail/detail.aspx?FileName=WLXB201520040&DbName=CJFQ2015
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